( ) 晚上，许秋回到寝室，看到室友孙一凡坐在桌子前打着个台灯，对着电脑搓炉石。

孙一凡招呼道：“许秋，回来啦，你看到辅导员发的名单了嘛，我们直博生没人权啊，居然都只有二奖，一奖都被硕博连读的给捞走了。”

许秋耸了耸肩，附和了一句：“是啊，我之前也以为我们是一奖呢……不过一奖、二奖也差不多，估计最多也就相差一两千块钱，洒洒水啦。”

“那倒也是，”孙一凡点点头，随口问道：“对了，许秋你有申请国奖嘛？我记得你本科文章好像发了不少吧。”

“嗯，申请了。”许秋回应道。他在孙一凡后面看了一会儿，游戏刚开局，双方都是30血，看不出什么来，、tem、sem等各种电镜进行观察，反正模拟实验室里电镜也不花钱，就索性全用上测一遍。

最终结果显示，旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且还有一些已经断掉了的纳米线。

纳米线这种东西想要具有良好的导电性，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。

因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。

为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。

发现其他人在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电性差、稳定性差等，而且没有太好的解决方法。

于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。

所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶液在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。

“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。

许秋的这番操作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：

首先根据实验现象推断可能的原因；

然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；

再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；

接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；

最后翻文献，找到解决或者替代的方法。

这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。

另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。

毕竟，检索sci论文花费的时间可不少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。

当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。

就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，n a（计划a）扑街。

即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。

不过，许秋丝毫不慌。

因为他还有n b，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃n a，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。

在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。

他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组yang yang发表的。

不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（avt）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（ce）一直上不去。

光有avt，没有ce，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的avt配上1%的ce，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。

目前，性能最好的一个工作是基于ce10:cbm的半透明器件，效率只有7%，avt也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。

正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以ce10:ieico-4f和ce10:fnic-4f两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。


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